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王宏兴  
研究领域(方向)

大面积、高质量宽禁带半导体衬底材料的研究;

2. 电子器件级高质量宽禁带半导体单晶薄膜及掺杂方法的研究;

3. 高温、高效、大功率微波器件及电力电子器件的研究;

4. 基于宽禁带半导体的复合器件和传感器的研究;

5. 新型化学气相沉积(CVD)系统等关键设备的研制;

6. 金刚石MEMS结构与器件;

7. NV量子相干调控。

个人及工作简历

教育背景:

1998/10 -2001/9 日本德岛大学研究生院, 研究生/工学博士,导师:酒井士郎;

1988/9 -1991/6 西安交通大学电子工程系,研究生/工学硕士,导师:孙鉴;

1979/9-1983/7 西安交通大学电子工程系,本科/工学学士

工作经历:

2012/3 -至今:西安交通大学电信学院电子系教授 ,国家“千人计划”特聘专家

科研项目

近五年主持科研项目10余项:包括国家重大仪器专项1项、科技委XXX项目(14项优先启动的重点项目之一)2项、XXX项目1项、863项目1项 、国家自然科学基金1项、横向课题2项,陕西省统筹项目3项。相关研究已初步具备小规模产业化。

学术及科研成果、专利、论文

长期从事宽禁带半导体设备、材料和器件的研发,掌握了 大面积单晶衬底“克隆”和横向外延技术;研制出高亮度的氮化镓发光器件,实现了从紫外(350纳米)到蓝光(470纳米)LED的研发和量产;研制的金刚石肖特基二极管和氢终端达到国际先进水平;研制出n型高效掺杂MPCVD设备,掺杂效率提高两个数量级;研制出特殊形状的CVD,并利用该CVD生长出场发射电流密度世界前列的碳纳米阴极;

作为“单晶金刚石及其电子器件泛太平洋研发与产业化联盟”的召集人,发起主办“单晶金刚石其电子器件国际会议(SCDE)系列年会以及主持 “第十届新型金刚石与纳米碳材料国际会议(NDNC2016),推动了国内外单晶金刚石其电子器件的发展。

近五年来在Carbon、Appl Phys Lett、Diam Relat Mater、Optical Express、Laser & Photonics Reviews等国际著名期刊发表论文60余篇。申报相关国际、国内发明专利28项,并逐步把专利上升为行业或国家技术标准。

联系方式
电子邮箱:hxwangcn@mail.xjtu.edu.cn
联系电话:(86)-29-82668155
联系地址:西安交通大学电信学院电子科学与技术系
更新日期:2018-08-27