当前位置: 首页 >> 师资队伍
教师内容页
王宏兴  
研究领域(方向)
宽禁带半导体高温、高效、大功率微波器件、电力电子器件、发光器件的研究;大面积、高质量宽禁带半导体衬底的研究;电子器件级高质量宽禁带半导体单晶薄膜及掺杂方法的研究;基于宽禁带半导体的传感器和成像探测器的研究;新型化学气相沉积(CVD)系统等关键设备的研制;金刚石MEMS结构与器件;金刚石NV量子相干调控;
个人及工作简历

国家“千人计划”特聘专家,电子与信息工程学院博士生导师,西安交通大学宽禁带半导体材料与器件中心主任。

1983年西安交通大学本科毕业获学士学位,1991年西安交通大学硕士研究生毕业获硕士学位,2001年日本德岛大学获博士学位。2001年至2013年,在日本先后任研究员、高级研究员、工艺开发负责人、执行董事、首席顾问、研发团队负责人等职务。

现任单晶金刚石及其电子器件泛太平洋研发与产业国际联盟秘书长、单晶金刚石及电子器件国际研讨会(SCDE)2014-2019年会议执行主席、2016年新金刚石和纳米碳(NDNC2016)国际会议主席。金刚石与碳材料国际会议 (International Conference on Diamond and Carbon Materials) 国际顾问委员会成员、新金刚石和纳米碳(NDNC)国际顾问委员会成员。日本应用物理学会(JSAP)、日本电气学会(IEEJ)、美国电气学会(IEEE)、美国显示学会(SID)和美国化学学会(ACS)会员。

科研项目

在日本期间先后参加和主持了日本通产省,日本学术振兴机构以及日本有关大型公司的重大科研项目和产学研结合项目。

2013年全职回国后,承担和主持包括国家基金委重大仪器专项、科技部“863计划”、“十三五”重点研发、国家自然科学基金、陕西省统筹等7项项目,相关研究已初步实现小规模产业化。

学术及科研成果、专利、论文

王宏兴教授在III-V族半导体薄膜外延生长及发光器件,大面积金刚石衬底及高质量金刚石薄膜外延生长,碳纳米场致发射阴极、场致发射光源及其他场致发射电子器件,MOCVD设计开发、特殊直流CVD设计开发、微波等离子体CVD的设计开发等领域做出了许多创新性工作。在Carbon、Applied Physics Letters、Scientific Reports、Applied Surface Science、Diam. Relat. Mater等期刊发表SCI论文70余篇,申请和获授权的中国、日本、美国、PCT专利100余项。

联系方式
电子邮箱: hxwangcn@mail.xjtu.edu.cn
联系电话:029-82668168
联系地址:西安交通大学电子与信息工程学院电子系,710049
更新日期:2017-03-28