大面积、高质量宽禁带半导体衬底材料的研究；

2. 电子器件级高质量宽禁带半导体单晶薄膜及掺杂方法的研究；

3. 高温、高效、大功率微波器件及电力电子器件的研究；

4. 基于宽禁带半导体的复合器件和传感器的研究；

5. 新型化学气相沉积（CVD）系统等关键设备的研制；

6. 金刚石MEMS结构与器件；

7. NV量子相干调控。

教育背景：

1998/10 -2001/9 日本德岛大学研究生院, 研究生/工学博士，导师：酒井士郎；

1988/9 -1991/6 西安交通大学电子工程系，研究生/工学硕士，导师：孙鉴；

1979/9-1983/7 西安交通大学电子工程系，本科/工学学士

工作经历：

2012/3 -至今：西安交通大学电信学院电子系教授 。

近五年主持科研项目10余项：包括国家重大仪器专项1项、863项目1项 、国家自然科学基金1项、横向课题2项，陕西省统筹项目3项。相关研究已初步具备小规模产业化。

长期从事宽禁带半导体设备、材料和器件的研发，掌握了 大面积单晶衬底“克隆”和横向外延技术；研制出高亮度的氮化镓发光器件，实现了从紫外（350纳米）到蓝光（470纳米）LED的研发和量产；研制的金刚石肖特基二极管和氢终端达到国际先进水平；研制出n型高效掺杂MPCVD设备，掺杂效率提高两个数量级；研制出特殊形状的CVD，并利用该CVD生长出场发射电流密度世界前列的碳纳米阴极；

作为“单晶金刚石及其电子器件泛太平洋研发与产业化联盟”的召集人，发起主办“单晶金刚石其电子器件国际会议（SCDE）系列年会以及主持 “第十届新型金刚石与纳米碳材料国际会议（NDNC2016），推动了国内外单晶金刚石其电子器件的发展。

近五年来在Carbon、Appl Phys Lett、Diam Relat Mater、Optical Express、Laser & Photonics Reviews等国际著名期刊发表论文60余篇。申报相关国际、国内发明专利28项，并逐步把专利上升为行业或国家技术标准。