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李振荣  
研究领域(方向)

(1)高性能弛豫铁电单晶与器件

(2)压电陶瓷与器件

(3)宽禁带半导体GaN单晶生长

个人及工作简历

1989年7月和1992年3月分别获得南京工业大学工学学士和硕士学位,1999年11月获得西安交通大学工学博士学位。2002年-2003年在葡萄牙阿威罗大学博士后研究。1992.4-1996.2在济南大学材料系历任助教和讲师,1998.6-至今,在西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室历任讲师、副教授、教授。

科研项目
作为主持人承担了总装预研重点基金、总装预研项目、国家自然科学基金、中俄国际合作项目、教育部博士点基金项目、军方863项目、陕西省国际合作项目等;作为研究骨干承担了科技部973、863项目、国家自然科学基金委金砖国家科技合作项目等。
学术及科研成果、专利、论文
在高性能弛豫铁电单晶研究方面,拥有了坩埚下降法生长大尺寸弛豫铁电单晶生长技术,实现了直径3英寸高性能弛豫铁电单晶的小批量生产,为水声超声器件的研制提供了保障。目前具有了直径5英寸弛豫铁电单晶的生长能力。研制出单晶超声马达和单晶加速度计。设计并研制出用于宽禁带半导体GaN单晶生长的高温高压设备,采用助熔剂液相外延技术实现了GaN单晶的生长。获得2007年教育部新世纪优秀人才资助计划,2015年度陕西省优秀博士学位论文指导教师。获得2014年度教育部高等学校自然科学奖一等奖1项(排名第2)和2015年度国家自然科学奖二等奖1项(排名第4)。发表SCI检索学术论文100余篇,获得国家授权发明专利4项。
联系方式
电子邮箱:zhrli@mail.xjtu.edu.cn
联系电话:029-83395679 13892835963
联系地址:西安交通大学曲江校区西六楼
更新日期:2017-12-07