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刘卫华 |
研究领域(方向)
低维纳电子材料与器件:
1. 纳米压电电子学;
2. 场发射纳米冷阴极及其应用技术研究;
3. 面向未来集成电路应用的碳基电子学,基于低维纳米材料的电子新型器件,纳电子器件结构设计及器件物理;
个人及工作简历
1998年毕业于西安交通大学电子科学与技术系,2001和2005年分获工学硕士学位和工学博士学位。
2009年至2010年于佐治亚理工学院王中林教授的研究团队访问研究。 电子学会会员,陕西省电子学会显示专业委员会成员,西安纳米科技学会第二届理事会常务理事;中国微纳科技协会高级会员,IEEE MEMBER。
科研项目
学术及科研成果、专利、论文
近年来在Nano Letters, Nanoscale, Carbon, APL等国际权威期刊发表学术论文三十多篇。2010年开发出首个利用纳米压电栅控的碳纳米管场效应晶体管(CNT-FET);并曾作为主要完成人开发出我国首批碳纳米管场发射显示器;2000年开发出一项新的碳纳米管薄漠生长工艺,获省科技进步二等奖;获国际发明专利一项,国家发明专利6项;
先后承担国家自然科学基金项目多项,863专项子项目一项。并作为主要研究者参入完成了国家自然科学基金重点项目、国家“863”计划项目、多个自然科学基金面上项目以及陕西省科技研究发展(攻关)计划项目的研究。
联系方式
电子邮箱:lwhua@mail.xjtu.edu.cn